人妖 夫妻 国产套刻8nm光刻机引争议，我们追逐对象确切是ASML吗？

文 | 孙永杰人妖 夫妻

日前，工信部印发的《首台 ( 套 ) 紧要时期装备扩张应用指令目次 ( 2024 年版 ) 》（以下简称"目次"）中自满，中国已攻克氟化氩光刻机，其中该目次中，公开可见的与光刻机代际水柔软性能等密切干系的光源 193 纳米，分辨率≤ 65nm，套刻≤ 8nm 意见激勉了业内的热心。

简直是与此同期，上海微电子败露了一项名为"极紫外发射发生安装及光刻竖立"的发明专利。两则讯息凑在沿路，某些媒体和所谓大 V 们据称撰文称，该竖立不错用于坐褥 8 纳米及以下工艺的芯片制造，甚而 EUV 光刻机的推出亦然指日而待。于是乎又一波中国通过自主更动，打破阻塞的厚谊开动延迟。

事实究竟怎么？

差距 15-20 年，ASML 最初太多

针对我们开篇所说的厚谊延迟，也有不乏感性的媒体和业内东谈主士，从客不雅真实的角度分析了我们这个所谓的氟化氩光刻机可能具备的真实代际水柔软性能（注：我们之是以使用"可能"，是因为目次中败露的信息相称不圆善，举例要津的 NA 数值孔径、产能等），这里我们不再赘述，有利思的读者不错自行搜索（若是有幸还能找到的话，不外我们浓烈推选微信公众号"梓豪谈芯"中干系的原创著作）。

我们这里仅仅浮浅说下东谈主家得出的论断。这次国产套刻意见≤ 8nm 的氟化氩光刻机，本色制程约为 55nm，时期水平仅相称于 ASML 于 2015 年二季度出货的 TWINSCAN XT 1460K，甚而部分要津意见不如 ASML 2006 年推出的干式 DUV 光刻机 XT 1450，是以总体差距在 15 — 20 年。

对标有失偏颇，曝出尼康 NSR-S636E 狠变装

曾几何时，我们在光刻机范围，长期将 ASML 行动主要的追逐对象，包括这次目次中激勉争议的套刻意见≤ 8nm 的氟化氩光刻机，业内也王人是将其与 ASML 类似的机型行动对比（意见是为了预计出我们这款光刻机的本色水平），举例我们之前说起的 ASML 于 2015 年二季度出货的 TWINSCAN XT 1460K，也有的将其与 ASML 的 TWINSCAN NXT 1980Fi 对比，举例盛名的《南华早报》。

从客不雅的角度看，我们以为《南华早报》的这个对比有失偏颇，毕竟 TWINSCAN NXT 1980Fi 接受的是浸没式，而业内不错阐述的是，我们的套刻≤ 8nm 氟化氩光刻机接受的依然是干式。

不要小看这翰墨上的各别，其实相较于传统的干法光刻，浸润式光刻欺骗液体浸润光刻胶层，大略在光刻经由中更好地贬责名义起义整和险峻起义的结构。这种工艺大略提高分辨率和制程的一致性。

由此看人妖 夫妻，TWINSCAN NXT 1980Fi 与我们的套刻≤ 8nm 氟化氩光刻机在制造门径上（凭据光源分类）存在着质的各别，放在沿路相比有失公允，毕竟从光刻机制造的演进旅途，浸润式光刻全面最初于干式光刻理所固然。

不外话又说转头，本色接近 TWINSCAN XT 1460K 的水平（接受的是干式），但《南华早报》将套刻≤ 8nm 氟化氩光刻机与 TWINSCAN NXT 1980Fi 放在沿路，也许是思让东谈主们误以为是合并水平，仅仅个别意见的各别吧。

为了便于贯通，此处我们浮浅先容下光刻机以光源辩别的光刻机制造的演进旅途。

凭据所用光源分类，光刻机资格了 5 代居品发展。

第一代为 g 线型，属于可见光源，最初为战斗接近式光刻机，使用光源为 436nm 的 g-line，对应 800-250nm 工艺；

第二代为 i 线型，属于紫外光源（UV），最初为战斗接近式光刻机，使用光源为 365nm 的 i-line，对应 800-250nm 工艺；

第三代为 KrF 型，属于深紫外光源（DUV），初代为扫描投影式光刻机，接受 248n 的 KrF 光源，对应 180-130nm 工艺；

第四代为 ArF 型，属于深紫外光源（DUV），接受 193nm 的 ArF 光源，分为步进扫描投影式光刻机（干式）和浸没式步进扫描投影式光刻机（湿式），分别对应 130-65nm 和 45-7nm 工艺（38nm 以下开动使用多重曝光工艺）；

第五代为 EUV 型（极紫外），为步进扫描投影式光刻机，接受 13.5nm 的 EUV 光源，对应 7-3nm 工艺。

需要评释的是，为了进一步进步分辨率，明天的光刻时期将接受高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机。这种时期通过提高光学系统的数值孔径来杀青更高的分辨率，从而餍足更小时期节点的需求。而在本年 1 月，ASML 首台 High-NA EUV 光刻机的主要组件抵达英特尔，随后在 3 月初，英特尔共享了一段视频，展示了在英特尔位于好意思国俄勒冈州的 D1X 工场内，ASML 工程团队安装调试的部分画面。

回到我们的套刻≤ 8nm 氟化氩光刻机，照旧《南华早报》的那张对比图，我们不测发现了尼康浸润式 ArF 光刻机 NSR-S636E 的身影。而真话实说，要不是《南华早报》的那张对比图，我们确切是不会思到尼康的，尽管在当下的光刻机市集，ASML、尼康和佳能是高市集的三甲（好像王人莫得第四）简直把持了该市集的 100%。事实是，在当今的浸没式光刻机市集，当今各人仅有 ASML 和尼康两家公司不错坐褥。而 NSR-S636E 是昨年年底尼康发布的。

于无声处听惊雷，日本浸润式 DUV 光刻机赶超 ASML

说起尼康的 NSR-S636E，从发布的要津时期意见看，这款曝光机由于接受增强型 iAS 贪图，可用于高精度测量、圆翘曲和畸变转变，访佛精度 ( MMO ) 更高，不最初 2.1 纳米，分辨率小于 38 纳米，镜头孔径 1.35，对比面前型号，它的举座坐褥效果可提高 10-15％，创下尼康光刻竖立的新高，产能（wph）高达 280 片 / 小时以上（所有尼康半导体光刻系统中坐褥率最高），停机时候更短，价钱比竞品低廉 20-30％把握。

那么问题来了，尼康的 NSR-S636E 处在什么水平呢？

从《南华早报》图中其与 TWINSCAN NXT 1980Fi 的时期意见对比，不错说二者昆季难分。这里我们需要补充评释的是，ASML 的 1980Fi 是其 1980i 系列中的一个最新式号，该系列还包含 1980Di 等多个型号。

值得一提的是，1980Fi 和中枢时期意见与更先进的 2000i 型号一致，但 1980Fi 的产能（wph）高达 330 片 / 小时以上，甚而最初 2000i 的水平。那么以此来预计的话，除了 EUV，在浸润式 DUV 光刻机市集，尼康 NSR-S636E 照旧接近，甚而是该市集最佳的光刻机（杰出 ASML）。

对此，有业内称，NSR-S636E 不错径直光刻加工量产型 5nm 制程芯片，这个说法尽管有些夸张，但足见其在浸润式 DUV 光刻机市集的潜在实力。

更为宝贵的是，NSR-S636E 是我们的企业和媒体不息挂在嘴边上的有余国产。举例其光源使用的是日本 gigaphoton 公司（注：它是日本最大工程机械企业小松旗下的半导体企业，在光刻竖立的 DUV 光源范围，Gigaphoton 与 ASML 旗下的 Cymer 平分市集，即在光源这个光电子范围最上游的技艺中，Gigaphoton 和 Cymer 是仅存的两家有智商拓荒次世代极紫外光刻机用 LPP 型激光等离子体光源的制造商）的准分子 ArF 光源、日本 JTEM 机构的超高名义精度反射式 mirror、尼康我方的单工件台等。这点与 ASML 光刻机主要依赖各人化的入口零件变成了明显对比。

固然，我们这里并非说 NSR-S636E 等于所有零部件 100% 国产，至少在我们前述的中枢时期和部件王人是国产，举例在蹙迫的光源方面，ASML 一直使用的是德国的蔡司，而 NSR-S636E 使用的则是日本 gigaphoton 公司的。

其实通过 NSR-S636E，我们看到的不仅是尼康，而是在光刻机通盘产业链上，日本所具备的约束小觑的确凿的自主更动智商。

而除了时期外，最让我们赏玩的还有尼康的低调。据日经新闻此前报谈，这是尼康时隔二十多年再次投放光刻机新品，且照旧达到，甚而杰出 ASML 在浸润式 DUV 光刻机市集的水平，但我们却鲜见日本国内有像近日我们的套刻≤ 8nm 氟化氩光刻机被列入目次时，某些媒体及所谓大 V 们的上升厚谊和近乎时期盲般、无脑式的吹捧。

俗语说得好：低调作念东谈主，高调作念事。关于一个企业和产业尤其如斯，特等是在非市集要素关于我们极为不利，且越来越暴戾确当下，独一低调才不错让我们取得自主更动和国产化的时候。

写在临了：

综上，我们以为，这次国产套刻 8nm 光刻机引争议背后，除了再次暴泄漏我们的差距外，也应让我们再行注目在光刻机范围的敌手和学习的对象到底是谁？也许我们昔时太过于热心 ASML，而忽略了日本，尤其是它们在光刻机范围那种低调、求实、深耕国产化的更动和不懈的企业精神。

从这个趣味上看，日本才是我们最推行的敌手，毕竟我们光刻机的水平还处在低端的干式阶段，下一步则是浸润式，而日本尼康则践行了国产化在浸润式杰出 ASML 的可能，其中个把的时期、教育等无疑更值得我们模仿。